一氧化碳傳感器

一氧化碳檢測用平面半導體氣敏元件采用先進的平面厚膜生產(chǎn)工藝，由加熱器以及微型Al2O3陶瓷基片上形成的金屬氧化物半導體材料構成，用電極引線引出，封裝在金屬管座、管帽內。采用高低溫循環(huán)檢測方式檢測一氧化碳（1.5V），高溫（5.0V）時清洗低溫時吸附的雜質氣體。傳感器的電導率隨空氣中一氧化碳氣體濃度增加而增大，使用簡單的電路即可將電導率的變化轉換為與該氣體濃度相對應的輸出信號。

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產(chǎn)品特性

1、成本低、驅動電路簡單

2、尺寸小、壽命長

3、在較寬的濃度范圍內對一氧化碳有良好的靈敏度

技術參數(shù)

產(chǎn)品類型			平面半導體氣體傳感器
標準封裝			金屬封裝
檢測氣體			一氧化碳
檢測濃度			50～1000ppm CO
標準電路條件	回路電壓	V_c	≤10V DC
	加熱電壓	V_H	5.0V±0.1V AC or DC（高溫） 1.5V±0.1V AC or DC（低溫）
	加熱時間	T_L	60S±1S（高溫），90S±1S（低溫）
	負載電阻	R_L	可調
標準測試條件下氣敏元件特性	加熱電阻	R_H	105±10Ω（室溫）
	加熱功耗	P_H	≤240mW
	靈敏度	S	Rs(in air)/Rs(in 100ppm CO)≥3
	輸出電壓	Vs	2.5V ～ 4.3V (in 100ppm CO)
	濃度斜率	α	≤0.6(R_300ppm/R_50ppmCO)
環(huán)境條件	使用溫度	Tao	-10℃~50℃
	儲存溫度	Tas	-20℃~70℃
	相對濕度	RH	小于95% RH
	氧氣濃度	O₂	21%±1％（不能低于18%）
	氧氣濃度	O₂	氧氣濃度的變化影響傳感器敏感特性
	預熱時間		不少于48小時
	氧氣濃度		21%(不低于18%，(氧氣濃度會影響傳感器的初始值、靈敏度及重復性，在低氧氣濃度下使用時請咨詢使用）
壽命			10年

*具體參數(shù)請以規(guī)格書為準，如需獲取更多技術信息，請聯(lián)系：0371-86630636

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